НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИЭТ»

студентам
преподавателям
предприятиям
О ЦЕНТРЕУСЛУГИТРУДОУСТРОЙСТВОПРАКТИКАМОНИТОРИНГМЕРОПРИЯТИЯКОНТАКТЫАНКЕТИРОВАНИЕ

Факультет микроприборов и технической кибернетики (МП и ТК)

Факультет электроники и компьютерных технологий (ЭКТ)

Факультет электронных технологий, материалов и оборудования (ЭТМО)

Факультет (институт) экономики управления и права (ИнЭУП)

Факультет прикладных информационных технологий (ПрИТ)

Факультет "Дизайн"

Факультет иностранных языков (ИнЯз)



Логин:
Пароль:

Новости

17 мая 2012 Презентация компании "1С:Бухучет и торговля"
22 мая в 15:20 в МИЭТе пройдет презентация компании "1С:БИТ", аудитория 4204. Приглашаются все желающие!!!

20 февраля 2012 Крупнейший турнир по решению кейсов

Прими участие в крупнейшем турнире по решению кейсов и cтань одним из 100 лучших кандидатов этой весны!

24 января 2012 Оформление табеля на работающих студентов
Как правильно оформить табель на работающего студента

архив новостей

Факультет электроники и компьютерных технологий ( ЭКТ )

Тел.(495) 532-98-11, факс (495) 530-22-33
E-mail: ftdek@adm.miee.ru Этот адрес e-mail защищен от спам-ботов. Чтобы увидеть его, у Вас должен быть включен Java-Script

   Факультет обеспечивает подготовку специалистов по специальностям:

   Магистров и бакалавров по направлениям:

   Аспирантура и докторантура факультета готовит кадры высшей квалификации по специальностям:

  • твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника;
  • физика полупроводников и диэлектриков.

   Кафедры факультета:

   Подразделения:

  • Учебно-научный центр «Зондовая микроскопия и нанотехнология»;
  • Учебно-научный центр «Компьютерная диагностика и визуализация».

   На факультете расположены международные учебно-научные центры: Институт проектирования приборов и систем (университет Cadance ), компьютерный класс UNIQUE IC's, учебная лаборатория «Motorola», центр приборно-технологического моделирования ISE AG , которые готовят инженеров и магистров мирового уровня в области разработки и проектирования интегральных схем и микросистем.
   Студенты проходят практику, изучают и готовят дипломные работы и магистерские диссертации в ведущих научных и производственных центрах России: Физико-технологическом институте РАН; Отделении физики твердого тела Физического университета РАН; Биологическом факультете МГУ; Научно-образовательном центре ФИАН и МИЭТ «Квантовые приборы и нанотехнология; ГНЦ «Технологический центр» МИЭТ; НИИ медицинского приборостроения; в международных учебно-научных центрах и на предприятиях базовых кафедр.
   Студенты имеют возможность овладеть методами современной информатики, включая создание новых программных продуктов, изучить новейшие направления в области физики перспективных квантовых приборов.
   Особенностью обучения на факультете является сочетание глубокой фундаментальной подготовки, непрерывное изучение современных методов информатики и быстрореагирующих на ситуацию специальных дисциплин: технических, определяемых актуальными проблемами современного электронного производства и гуманитарных - экономики и права, менеджмента и маркетинга. Это обеспечивает возможность работы в самых разнообразных областях науки и техники, включая малый и большой промышленный, научный и финансовый бизнес. Они имеют высокий рейтинг в научных центрах и крупных фирмах, в том числе зарубежных.
   На факультет ведется большая научно-исследовательская работа с привлечением студентов по следующим направлениям:

  • Разработка конструкций и технологий СБИС и микросистем: новые структуры и элементы, базовые технологические маршруты и процессы изготовления; сверхскоростные устройства обработки информации на основе полупроводниковых соединений; схемотехника и конструирование МДП и биполярных ИС; разработка и создание микросистем, сенсоров и датчиков различного назначения, интеллектуальных ИС, приборов силовой электроники.
  • Разработка математического и программного обеспечения САПР изделий микроэлектроники: функционально-логическое, схемотехническое, топологическое проектирование; синтез - тесты и проектирование контроля пригодных СБИС; применение САПР в других областях науки и техники.
  • Разработка и исследование медицинской диагностической электроники: модели генерации электрической активности мозга; психофизиологического состояния человека; модели функционирования сердечно-сосудистой системы человека; разработка комплекса электронных приборов для диагностики и лечения сердечно-сосудистых заболеваний; моделирование и исследование методов томографического изучения органов человека.
  • Физические исследования и технология элементов и структур микро - и наноэлектроники: разработка, создание и исследование элементной базы наноэлектроники, в том числе нанодиодов, нанотранзисторов; разработка зондовых и планарных методов нанотехнологии; разработка и моделирование микроэлектронных полупроводниковых приборов и функциональных устройств; моделирование процессов переноса в микроэлектронных структурах; физические явления в структурах пониженной размерности, в том числе квантовых проводах, структурах с квантовыми точками.
  • Разработка и исследование сверхпроводниковых электронных приборов: разработка технологии получения сверхпроводниковых материалов и структур, конструкции датчиков высокой чувствительности и приборов СВЧ - электроники.
   Выпускники факультета являются высококвалифицированными специалистами в различных областях электроники, микроэлектроники и наноэлектроники: в разработке новых и совершенствовании существующих программных продуктов; исследовании физики квантовых приборов и устройств; компьютерного моделирования сложных физических явлений в электронных приборах; анализе биофизических процессов в живых организмах; проектировании и эксплуатации биомедицинской электроники.
   Многие выпускники факультета достигли командных должностей в сфере разработки и производства микроэлектронных изделий, педагогической деятельности, что немало способствовало прогрессу в области информатики и электроники, как в России, так и за рубежом.