Квантовой физики и наноэлектроники

Специальность:

• Нанотехнология

• Нанотехнология в электроники

• Микроэлектроника и полупроводниковые приборы

Основана в июле 1999 г. в целях углубления фундаментального образования и подготовки по передовым направлениям современной науки и техники. В составе кафедры 12 преподавателей, из них 1 член-корреспондент Российской Академии наук, 3 профессора и 6 доцентов, 1 старший преподаватель, 1 ассистент.

Кафедра готовит:

• магистров и бакалавров по направлению 550704 "Микро- и наноэлектроника"
• специалистов (квалификация физик-микроэлектронщик) по специальности 014100 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы"

Подготовка осуществляется по следующим направлениям:

1. Полупроводниковые гетероструктуры и квантовые приборы, в том числе физика квантовых процессов в гетероструктурах, принципы обработки информации в квантовых системах, квантовые вычисления и построение квантовых компьютеров, методы зонной инженерии на базе технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, современные методы оптических и электро-физических измерений и их компьютерной обработки.
2. Туннельно-зондовая микроскопия и нанотехнология. на базе современных сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов, включающее комплексное исследование поверхности подложек из любых материалов, в том числе, элементов нано- и микроэлектроники, формирование нанообъектов на поверхности подложек, а также элементов электроники методами туннельно-зондовой нанотехнологии, исследование биологических объектов, в том числе, клеточных структур, бактерий, вирусов, ДНК.
3. Теория твердого тела, в том числе сверхпроводимость и квантовый эффект Холла, электронные фазовые переходы и упорядоченные состояния, современные методы вычислительной физики.
4. Электронно-микроскопические методы исследования полупроводников и полупроводни-ковых гетероструктур.
5. Сверхпроводниковая электроника, включая методы получения высокотемпературных сверхпроводников.
6. Математическое моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов.
7. Сверхбыстродействующие интегральные схемы на основе GaAs, включая разработку и создание сверхбыстродействующих интегральных схем для телекоммуникационных приборов и устройств на основе новых типов транзисторов с высокой подвижностью электронов.
8. Акустонаноэлектроника, использующая явления переноса заряда в поле акустической волны в квантоворазмерных гетероструктурах.
9. Микрофотоэлектроника - разработка приборов и устройств на основе полупроводниковых наноструктур для приема и передачи оптических сигналов, в том числе инфракрасных систем.

Студенты и практиканты проходят практику, изучают дисциплины специализаций и готовят дипломные работы и магистерские диссертации в Отделении твердого тела Физического института РАН, ОАО "Ангстрем", НПО "Орион", ГНЦ НИИ ФП, Научно-образовательном центре ФИАН и МИЭТ "Квантовые приборы и нанотехнологии", Учебно-научном центре "Зондовая микроскопия и нанотехнология", Лаборатории сверхпроводниковой электроники МИЭТ, Лаборатории электронной микроскопии МИЭТ.

Телефон: (095) 532-99-09
Факс: (095) 530-22-33
Email: aag@qdn.miee.ru